Investigadores de Rice University, en EEUU, descubrieron una manera de expandir varias veces la capacidad de dispositivos de memoria con la ayuda del dióxido de silicio, uno de los minerales más corrientes en la Tierra, consta en un artículo publicado en la revista Nano Letters.
Una carga eléctrica aplicada a piezas diminutas del dióxido de silicio es capaz de romper y reconectar repetidamente sus cristales, y es posible usar esas fracturas para almacenar datos en tres dimensiones, lo que aumenta drásticamente la capacidad de memoria.
El descubrimiento, hecho por Jim Tour, Jun Yao y sus colegas, fue posible gracias al desarrollo de las nanotecnologías. "Hemos redescubierto algo que la gente vio hace 40 años", dijo Tour al destacar especialmente que "en realidad no hay nada nuevo aquí que la industria tenga que aprender a fabricar".
La tecnología funciona con electrodos de apenas cinco nanómetros, tamaño varias veces inferior al de los elementos usados en las memorias flash de ahora. El equipo de Tour ya colabora con una empresa de tecnologías, PrivaTran, para elaborar los chips de memoria de la nueva generación.
noticia publicada en RIA Novosti (Rusia)
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