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La nueva tecnología (desarrollada conjuntamente por Intel y Mircon, y manufacturada por la empresa conjunta de memoria NAND Flash de ambas compañías, IM Flash Technologies (IMFT), es cinco veces más rápida que la tecnología NAND convencional, lo que permite que se transfieran datos en una fracción del tiempo para aplicaciones de computación, video, fotografía y otras aplicaciones para computadoras.

La nueva memoria NAND de alta velocidad puede alcanzar velocidades de hasta 200 megabytes por segundo (MB/s) para leer datos y de 100 MB/s para escribir datos, lo cual se logra al aprovechar la nueva especificación ONFI 2.0 y una arquitectura de cuatro planos con velocidades de reloj más altas. En comparación, la memoria NAND convencional de celdas de un nivel está limitada a una velocidad de 40 MB/s para la lectura de datos y de menos de 20 MB/s para escribir datos.

"Micron espera liberar las todas las posibilidades con la memoria NAND de alta velocidad", dijo Frankie Roohparvar, vicepresidente de desarrollo de memoria NAND de Micron. "Trabajamos con un ecosistema de habilitadores y socios clave para construir y optimizar las tecnologías de sistemas que aprovechen sus capacidades de desempeño mejoradas. Micron se ha comprometido con la innovación y con la integración de nuevas características en la tecnología NAND que den origen a una poderosa solución de almacenamiento de datos para los dispositivos de electrónica de consumo y de cómputo más populares de la actualidad".

"El mercado de las computadoras da la bienvenida a soluciones basadas en la tecnología NAND para acelerar el desempeño de los sistemas a través del uso de cachés y dispositivos de estado sólido”, afirmó Pete Hazen, director de mercadotecnia del Grupo de Productos NAND de Intel. "Con 5 veces el desempeño de nuestra memoria NAND convencional, la memoria NAND de alta velocidad de Intel y Micron, basada en el estándar de la industria ONFi 2.0, hará posibles nuevas soluciones incorporadas y soluciones extraíbles que aprovechen interfaces de sistemas de alto rendimiento, incluyendo PCIe y estándares de próxima aparición como USB 3.0".

Entre las ventajas de desempeño específicas de la memoria NAND de alta velocidad en los dispositivos más populares de la actualidad, se encuentran las siguientes:

• Cuando se utiliza en un disco duro híbrido, la memoria NAND de alta velocidad puede permitir al sistema leer y escribir datos con una velocidad de dos a cuatro veces mayor cuando se compara con discos duros convencionales.
• Con la popularidad de las cámaras de video digitales y los servicios de video por demanda, la memoria NAND de alta velocidad puede permitir que una película en alta definición sea transferida cinco veces más rápido que con memoria NAND convencional.
• Con la interfase USB 3.0 de próxima aparición, se espera que la memoria NAND de alta velocidad entregue efectivamente las velocidades de transferencia de datos más altas correspondientes a la nueva especificación, puesto que la memoria NAND convencional actuaría como cuello de botella en el desempeño del sistema. La especificación USB 3.0 aspira a lograr 10 veces el ancho de banda de las soluciones USB 2.0 actuales, o cerca de 4.8 gigabits por segundo.
• Conforme la memoria NAND continúa su incursión en la plataforma de la PC, la Non-Volatile Memory Host Controller Interface (NVMHCI, o Interfase controladora de host de memoria no volátil) puede aprovechar la memoria NAND de alta velocidad en soluciones como Intel® Turbo Memory, que hace posible un desempeño aún mejor del sistema. NVMHCI está diseñada para proporcionar una interfase de programación de software estándar que permita que los controladores de sistemas operativos tengan acceso a memoria NAND Flash en aplicaciones como el manejo de caché del disco duro y unidades de estado sólido.

Noticia publicada en Perú Press